高镍三元材料的空气不稳定性，数字数字实现也是限制材料生产和应用的重要因素。

【图文导读】Figure1.TaON和Ta3N5的晶胞结构Figure2.空位迁移(a).TaON中的氧空位迁移路径，电网以及扩散能垒随电荷状态的变化(b).TaON中的氮空位迁移路径，电网以及扩散能垒随电荷状态的变化Figure3.空位迁移路径、形成能和扩散能垒(a).TaON中的空位交换迁移路径(b).形成能随电荷的变化(c).扩散能垒随电荷状态的变化Figure4.空位迁移路径、形成能和扩散能垒(a).TaON中的空位交换迁移路径(b).形成能随电荷的变化(c).扩散能垒随电荷状态的变化Figure5.氮空位的迁移路径和相应的能垒Figure6.Ta3N5中的迁移能垒【小结】混合阴离子半导体如氮氧化物具有广泛的使用性能，可以针对各种催化应用进行调整，例如光催化水分解。相反，推进氧空位缺陷的扩散很大程度上与电荷状态无关。

许多氮氧化物材料的带隙与太阳光谱之间的重叠，中国使得它们成为可以在可见光区域中使用的水分解光催化剂。TaON和Ta3N5可以在973K以上的温度下，新跨通过在流动的NH3下氮化Ta2O5粉末来制备。 欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，数字数字实现投稿邮箱[email protected]。

另外，电网氧抗位点缺陷的形成是电荷调制的。尽管存在氧化分解的趋势，推进但有证据表明氧氮化物材料表现出改善的离子导电性。

中国该结果为TaON和Ta3N5在催化操作条件下易于形成氮缺陷提供了解释。

然而，新跨氮氧化物材料中混合离子扩散的基本热动力学，例如空穴缺陷迁移势垒和形成能，仍然未被探索。随着科技技术的不断发展，数字数字实现人们对于科学探索就从未止步。

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